HTOL测试条件：

温度150℃，VDDA=VDDB=5.5V, VSSA=VSSB=0, INA和INB悬空。
先安排取ft一对一良品数据，再安排老化实验；
老化工作168小时后，取出芯片的子板测FT参数；
再工作332小时后，取出芯片的子板测FT参数；
再工作500小时后，取出芯片的子板测FT参数。

双85测试条件：

VDD=20V；GND接地； IN悬空；
环境温度设置为85℃；湿度设置为85%。
工作168小时后，取出芯片的子板测FT参数；
再工作332小时后，取出芯片的子板测FT参数；
再工作500小时后，取出芯片的子板测FT参数。